隨著輝達（NVIDIA）等全球AI巨擘持續擴大在台的研發與先進製造投資，這波投資潮推動了半導體製程與晶片設計的極限，也帶來了前所未有的「熱挑戰」。 新一代的AI晶片追求更高的運算密度，連帶使晶粒（Die）的瞬時功耗與熱設計成為決定產品性能、長期穩定性以及最終良率的關鍵。
在傳統的熱分析中，長波紅外線熱像儀（LWIR）在面對晶圓、矽基材或玻璃封裝時，往往因為波長限制而無法穿透，使得工程師難以直接觀測到核心晶粒的真實熱分佈，且在高溫環境下，放射率的誤差也難以控制。任何微小的熱點或溫度異常，都可能導致嚴重的問題。
為滿足穿透晶圓、精準量測微小熱點的需求、確保研發實驗室配備頂級的熱分析工具，是維持產業穩定品質、加速產品上市的關鍵。
FLIR X8580 高畫質中波MWIR熱像儀 的卓越性能使其成為先進電子熱分析領域的理想工具，能捕捉高速熱事件細節、進行精確輻射測量，針對先進電子元件進行高功耗晶片的研發與故障排除。
- 高解析度 (1280 x 1024)： 能夠清晰分辨 PCB 上的微小電阻、電容或電源管理 IC 等，實現精確的點溫量測。
- 廣泛應用光譜 (1.5–5.0 µm)：覆蓋中波和部分近紅外光譜，適合多種材料特性分析，特別在電子元件設計和故障檢測中表現卓越。
- 高效 R&D：透過 181Hz 高幀率、配合低至 30 mK 的熱靈敏度 ( NETD )，確保您捕捉到任何快速或微小的瞬態熱事件。加速新一代 CPU/GPU/TPU 的設計與驗證週期。
FLIR X8580 提供 非接觸式、高空間解析度、高熱靈敏度 的數據，讓工程師精準定位晶片上的熱點，驗證散熱設計（如散熱片、均熱板、液冷方案）的有效性，是您在半導體研發中，準確監測高溫製程、故障診斷的最佳工具。
NETD熱靈敏度
在精密電子或高電壓電力設備檢測中，NETD（Noise Equivalent Temperature Difference）是確保檢測可靠度的關鍵指標。NETD值代表紅外線感測器的訊號雜訊比，數值越低代表感測器越靈敏、熱影像畫面雜訊越少，能夠準確辨識出微小的溫差變化，有效避免誤判。
